TOS7210S絕緣電阻測試儀產(chǎn)品概述PID絕緣測試儀（TOS7210S）是為準確有效地對太陽能電池模塊的PID（Potential Induced Degradation）現(xiàn)象進行評估，以絕緣電阻測試儀（TOS7200）為基礎(chǔ)設(shè)計而成的測試儀。 附有極性切換功能，輸出電壓可達2000V,同時裝載了n*分辨率的電流表，因此不僅可以進行PID評估，還可以用于要求進行高敏感度測試的絕緣體評估測試
更新時間：2025-05-09
TOS7210S絕緣電阻測試儀產(chǎn)品概述
PID絕緣測試儀（TOS7210S）是為準確有效地對太陽能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現(xiàn)象進行評估，以絕緣電阻測試儀（TOS7200）為基礎(chǔ)設(shè)計而成的測試儀。
附有極性切換功能，輸出電壓可達2000V,同時裝載了n*分辨率的電流表，因此不僅可以進行PID評估，還可以用于要求進行高敏感度測試的絕緣體評估測試。標準安裝了可從外部調(diào)用的面板存儲器及RS232C接口，因此也可以靈活對應(yīng)自動化系統(tǒng)。
什么是PID現(xiàn)象？
PID現(xiàn)象是指太陽能電池與邊框長期被施以高電壓，電池發(fā)電量顯著降低的現(xiàn)象。目前認為所施加的電壓越高，越是在高溫、高濕的環(huán)境下劣化現(xiàn)象越嚴重。如晶體硅太陽能電池模塊的輸出電壓即使只有數(shù)十V，一旦直接連接的片數(shù)增加，串內(nèi)的電位差將變得非常高。一方面，PCS（Power Conditioning System）作為交流電源與系統(tǒng)相連,使接地形態(tài)發(fā)生變化。輸入端采用浮接（一側(cè)電極不能接地線）的無變壓器方式近年有所增加。這種情況下電池和地線間將發(fā)生高電位差。現(xiàn)在可明確的是，晶體硅太陽能電池模塊中，相對于邊框（接地線）負極電位高的電池容易發(fā)生PID現(xiàn)象。（請參照圖1）目前，日本國內(nèi)以最大600V、歐洲以最大1000V的系統(tǒng)電壓運行太陽能電池模塊，但是目前出現(xiàn)了提高最大系統(tǒng)電壓以削減企業(yè)用大規(guī)模太陽能發(fā)電系統(tǒng)的串數(shù)、PCS總數(shù)，提高發(fā)電效率的趨勢。
圖2模擬了晶體硅太陽能電池模塊的處于高電位差的狀況。邊框為正極電位、模塊電路處于負*電位的狀況。目前認為是由于超白鋼化玻璃內(nèi)的鈉離子向電池側(cè)遷移而引起劣化。（薄膜太陽能電池模塊也被確認出現(xiàn)PID現(xiàn)象，但是發(fā)生劣化的機制與晶體硅太陽能電池模塊不同。）現(xiàn)在，各種研究機構(gòu)正在通過研究、試驗查找PID現(xiàn)象的原因。
TOS7210S絕緣電阻測試儀產(chǎn)品特點
可任意設(shè)定輸出電壓
可將對被檢品施加的測試電壓設(shè)定在50Vdc-2000Vdc（分辨率1V）范圍內(nèi)。假設(shè)太陽能發(fā)電系統(tǒng)的電壓在1000V以上，可對其進行評估。此外，在電氣/電子部件、電氣/電子設(shè)備的絕緣電阻測試中，也可對應(yīng)JIS C 1302: 1994所規(guī)定的電壓范圍以外的測試。在50V-1000V范圍內(nèi)，輸出特性以JIS C 1302: 1994為基準。
極性切換功能
可通過主機面板的開關(guān)輕松切換輸出極性。PID現(xiàn)象是一種可逆現(xiàn)象，施加負偏壓電壓可能會恢復(fù)。極性切換是一項不需要對被檢品實施配線變更的便利功能。此外，通過RS232C接口可實施由外部控制的切換。
建立輸出端的浮地
輸出端子與接地電位間為浮地狀態(tài)(*1)。此外，使用屏蔽電纜作為輸出電纜 (TL51-TOS)。這樣就不會測量被檢品與大地間的電流，只測量測試點間的電流，可確保評估測試的高敏感度和精確性。
*1：設(shè)定為正極的端子的對地電壓（±1000Vdc）設(shè)定為負極的端子的對地電壓（+1000Vdc及-3000Vdc）
模擬輸出端子
在電阻顯示模式中，基于對數(shù)壓縮將對應(yīng)電阻測量值的電壓輸出限制在0V-4V之間。在電流顯示模式中，對應(yīng)電流測量值及測量量程（4個量程）按線性標度輸出。使用數(shù)據(jù)記錄器等外部記錄設(shè)備可對被檢品的變化、劣化狀況進行解析。
TOS7210S絕緣電阻測試儀選型指南
型號 | 規(guī)格 |
TOS7210S (SPEC80776) | PID絕緣測試儀（TOS7210S）是為準確有效地對太陽能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現(xiàn)象進行評估, 以絕緣電阻測試儀（TOS7200）為基礎(chǔ)設(shè)計而成的測試儀, 可在50Vdc-2000Vdc（分辨率1V）范圍內(nèi)實施設(shè)定, 可通過面板側(cè)的開關(guān)即時切換施加電壓極性, 輸出端子與接地電位間為浮地狀態(tài), 只測量通過測量點間的電流. 可對電流測量值或電阻測量值進行切換顯示, 測試線（TL51-TOS）包括 |
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